Đề tài: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo hệ thống truyền dẫn quang, thiết bị truy nhập băng thông rộng và ứng dụng vào mạng viễn thông thế hệ mới (NGN) ở Việt Nam

Mã dự án: KC.01.06/06-10
Tên đầy đủ: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo hệ thống truyền dẫn quang, thiết bị truy nhập băng thông rộng và ứng dụng vào mạng viễn thông thế hệ mới (NGN) ở Việt Nam
Chương trình: KC.01.06/06-10
Thời gian thực hiện: 01-12-2007 - 01-11-2009
Cơ quan chủ quản: Viện khoa học vật liệu
Cấp độ quản lý: Viện khoa học vật liệu
Kinh phí:
Đơn vị phối hợp thục hiện:
Nội dung mô tả:

1. Chủ nhiệm đề tài: PGS. TS. Phạm Văn Hội

2. Cơ quan chủ trì theo hồ sơ: Viện khoa học vật liệu

3. Cơ quan chủ trì hiện tại: Viện khoa học vật liệu

4. Cơ quan phối hợp thực hiện:

5. Mục tiêu thực hiện:

Đề tài đặt vấn đề thiết kế và chế tạo các thiết bị đầu cuối cho thông tin quang tốc độ cao từ 155Mb/s đến 2,5 Gb/s, các bộ khuếch đại quang sợi và khuếch đại quang bán dẫn và các thiết bị truy nhập mạng quang NxE1 để thử nghiệm trên tuyến cáp quang đáp ứng mạng quang thế hệ mới (NGN) kiểu mạng toàn quang. Mặc dù thiết bị thu phát tín hiệu quang tốc độ STM1 (155Mb/s) đã được nghiên cứu chế tạo hoàn chỉnh với giá thành hạ trên thế giới từ thập niên trước đây (hiện nay bộ truyền dẫn quang STM1có giá khoảng12. 000-13.000 USD, trong đó Card chuyển mạch STM1 điện tử chỉ có giá 1.800 -2.200 US chiểm tỷ trọng17%, còn lại là giá thành bộ chuyển đổi điện-quang và quang -điện), nhưng việc thiết kế chế tạo chúng chưa được bắt đầu tại Việt nam, vì vậy đề tài đặt vấn đề thiết kế chế tạo thử nghiệm thiết bị đầu cuối quang STM1 để có kinh nghiệm thiết kế chế tạo các thiết bị đầu cuối tốc độ cao hơn (STM4 và STM16) trong thời gian tới. Với các chương trình thiết kế tiêu chuẩn, chúng tôi cho rằng đề tài sẽ hoàn thành tốt nhiệm vụ đầu tiên là thiết kế và chế tạo thiết bị đầu cuối quang cho STM4, STM16 khi đã có kinh nghiệm thiết kế chế tạo thiết bị đầu cuối quang cho STM1.
Nội dung 1: 
Thiết kế và chế tạo một số thiết bị phát thu tín hiệu quang tốc độ bit 155Mb/s (4 bộ mẫu), 622Mb/s ( 4 bộ mẫu), 2,5 Gb/s ( 4 bộ mẫu) với các thông số cơ bản sau:
• Bộ phát với các thông số cụ thể như:
- Sử dụng bước sóng laser 1310 nm cho tốc độ bít 155Mb/s, bước sóng 1550 nm cho tốc độ bít từ 622Mb/s đến 2,5 Gb/s;
- Công suất quang lối ra của bộ phát đạt 3-5 dBm;
- Nhiệt độ đế laser khi hoạt động có sai số +/- 0,2 0C @ 25 0C ;
- Dòng bơm định thiên (bias) cho laser có sai số < 1% ;
- Nhiễu công suất quang ra < 0,5% ;
- Thời gian đáp ứng xung điện – xung quang (r,f < (bit / 8 (trong đó (bit là độ rộng xung tín hiệu quang) ;
- Kiểm soát các thông số laser bằng vi điều khiển;
- Nguồn nuôi +/- 5VDC từ nguồn tiêu chuẩn;
- Kích thước tương thích với Card phát tín hiệu quang của Northern Technology.
• Bộ thu với các thông số cụ thể như:
- Sử dụng photodiode p-i-n cho tốc độ bít < 2,5 Gb/s và sử dụng photodiode avalange cho tốc độ bít  2,5 Gb/s ;
- Độ nhạy đầu thu nhỏ nhất (công suất quang nhỏ nhất để BER < 10-9) đạt -30 dBm cho tốc độ bít < 2,5 Gb/s và đạt -27 dBm cho tốc độ bít  2,5 Gb/s. Công suất quang lớn nhất tới đầu thu không làm bão hoà bộ tách tín hiệu đạt < -13 dBm. 
- Có chỉnh dạng xung điện với xung nhịp của hệ thống thông tin ;
- Điều khiển tự động mức thu bằng hồi tiếp và chương trình điều khiển ;
- Nguồn nuôi +/- 5VDC, +/-12VDC và + 150 VDC cho Photodiode Avalanche ;
- Kích thước tương thích với Card thu và xử lý tín hiệu thông tin quang của Northern Technology.
• Thiết kế chế tạo bộ tích hợp thu phát tín hiệu quang tốc độ cao (Tranceiver) thành sản phẩm mẫu hoàn thiện với các thông số phát và thu tương ứng nêu ở các mục trên. Bộ transceiver quang STM1 (chiểm tỷ trọng 83% giá thành) sẽ được xây dưng thành Hệ thống truyền dẫn với Card hợp kênh STM1 điện tử (chiểm tỷ trọng 17% giá thành) mua sẵn trên thị trường (xem giá thành của Card STM1 tại giấy báo giá kèm theo dưới đây).
Thông số chính của thiết bị phát thu tín hiệu quang tốc độ cao
Số TT Tính năng Đơn vị đo Chỉ tiêu
1 Thiết bị phát tín hiệu quang:
- Nguồn phát tín hiệu quang
- Bước sóng phát của nguồn quang
- Công suất tín hiệu quang lối ra
- Tốc độ điều chế tín hiệu
- Dung sai tốc độ điều chế
- Nhiệt độ đế laser mođun
- Nhiệt độ môi trường làm việc

nm
dBm
Mbit/s
ppm
0C
0C
Laser bán dẫn đơn mốt
1310 +/-20; 1550+/-20
-3 +3
155,52; 622,08; 2488,32
50
25+/-0,2
545
2 Thiết bị thu, xử lý tín hiệu quang:
- Linh kiện chuyển đổi quang-điện
- Băng tần thu quang 
- Công suất quang cực tiểu (@ BER < 10-9)
- Băng tần tín hiệu quang điều chế thu và xử lý được
- BER 
- Nhiệt độ môi trường làm việc

nm
dBm

Mbit/s


0C
Photodiode p-i-n, APD
1200  1700
-25  -30

155,52; 622,08; 2488,32

<10-9
545
Nội dung 2: 
Thiết kế chế tạo thiết bị EDFA (04) có kích thước thích hợp cho hệ thống thông tin hiện hành có các thông số cơ bản sau:
• EDFA đáp ứng chức năng: tăng cường công suất ra của bộ phát tín hiệu (booster), khuếch đại giữa tuyến quang (on-line) và tiền khuếch đại quang cho bộ thu ( pre-amplifier) ;
• Hệ số khuếch đại quang của thiết bị: 23 < G < 33 dB khi công suất tín hiệu lối vào thay đổi từ - 20dBm đến 2dBm (tuỳ thuộc chức năng của EDFA trong tuyến)
• Băng tần khuếch đại từ 1525 đến 1565 nm (= 40 nm) để khuếch đại hiệu quả hai bước sóng 1533nm và 1557 nm là hai bước sóng đang sử dụng trên tuyến thông tin quang song công hiện hành. Sử dụng các bộ tách bước sóng kiểu băng ( Band-pass filter) cho hai vùng sóng hoặc các bộ tách WDM 1530/1560 nm có mất mát quang thấp;
• Thông số tạp âm NF phải đạt < 4,5 dB cho bộ Booster và khuếch đại giữa tuyến và NF< 3,6 dB cho tiền khuếch đại.
• Công suất tín hiệu quang lối ra cho bộ Booster và On-line phải đạt > 13 dBm ( > 20 mW), và trong trường hợp có yêu cầu tăng công suất do sự cố đường truyền (thí dụ sự cố lũ lụt tại trạm chuyển tiếp) thì công suất quang ra có thể điều chỉnh đến 17 dBm ( 50 mW).
• Sử dụng laser bán dẫn công suất cao tại bước sóng 980 nm (hai bộ) và 1480nm ( 01 bộ) cho EDFA. Các linh kiện quang tích cực (laser bơm, photodide.) và thụ động sử dụng trong EDFA như ghép kênh quang đa bước sóng (WDM coupler), cách ly quang (optical isolator), chia quang bằng sợi, tách bước sóng quang ... có chất lượng cao theo tiêu chuẩn của Lucent Tech.
• Khảo sát các thông số cần kiểm soát cho hoạt động của EDFA tại trạm gồm: nhiệt độ đế laser bơm, dòng bơm cho laser bơm, công suất quang bơm, công suất tín hiệu lối vào, công suất tín hiệu lối ra, nhiệt độ môi trường. Xây dựng chương trình điều khiển tại chỗ cho EDFA theo các thông số trên;
• Khảo sát các thông số của EDFA cần kiểm soát tại trung tâm và các lệnh khởi phát, lệnh dừng hoạt động của EDFA từ trung tâm. Xây dựng chương trình tương thích với chương trình điều hành chung hiện nay của hệ thống;
• Chế tạo các mạch ghép nối EDFA và Card Booster , On-line và Pre-amplifier để có thể thay thế thiết bị trong mạng hiện hành;
• Thử nghiệm EDFA trên tuyến nhánh điểm - điểm với độ dài 80-120 Km, đo các thông số G,NF,Psat trong quá trình hoạt động trên tuyến. Đánh giá lỗi bit BER ;
• Thử nghiệm EDFA trên tuyến thực tại một số trạm chuyển tiếp có các điều kiện khí hậu khác nhau (có và không có điều hoà nhiệt độ và kiểm soát độ ẩm). Đánh giá các thông số cơ bản của EDFA và lỗi bít BER;
• Thử nghiệm gia tốc EDFA theo nhiệt độ môi trường từ 20oC đến 45oC trong phòng thí nghiệm. 
Thông số chính của các bộ EDFA sẽ chế tạo: 
Thông số EDFA Nhỏ nhất Tiêu chuẩn Lớn nhất Điều kiện thử nghiệm
Bước sóng hoạt động (nm) 1525 1567
Công suất lối vào (dBm)
+ Loại Booster 
+ Loại On-line
+ Loại tiền Khuếch đại
-10
-20
-28
+4
-12
-15
Công suất lối ra (dBm)
+ Loại Booster 
+ Loại On-line
+ Loại Tiền Khuếch đại
11
0
-13
14 
5
-10
16
7
-5
Thông số tạp âm NF (dB) 3,6 6 @1550nm, Pin=0dBm
Pout = 14 dBm
Công suất ASE dò ngược (dBm) -20 
Công suất bơm lẫn vào tín hiệu (dBm) -30
Mức tín hiệu vào phản xạ ngược (dB) 40
Mức tín hiệu ra phản xạ ngược (dB) 40
Tán sắc phân cực mốt PMD (ps) 1
Nhiệt độ môi trường làm việc (0C) 5 25 40
Nhiệt độ lưu giữ (0C) -10 65
Nội dung 3: 
Thiết kế chế tạo thiết bị SOA (04) có kích thước thích hợp cho Card thông tin quang và có
các thông số cơ bản sau:
• Hệ số khuếch đại quang của SOA: 10< G < 18 dB khi công suất tín hiệu lối vào thay đổi từ - 20dBm đến -5dBm;
• Băng tần khuếch đại của SOA 1290-1330 nm và 1520 -1560 nm (= 40 nm);
• Thông số tạp âm NF phải đạt < 10dB cho bộ Booster, khuếch đại giữa tuyến và cho tiền khuếch đại, công suất tín hiệu quang lối ra cho bộ On-line phải đạt > 6 dBm;
• Xây dựng chương trình điều khiển nội của bộ SOA để kiểm soát các thông số dòng bơm, nhiệt độ đế, công suất tín hiệu lối vào và lối ra;
• Khảo sát các thông số của SOA cần kiểm soát tại trung tâm và các lệnh khởi phát, lệnh dừng hoạt động của SOA từ trung tâm. Xây dựng chương trình tương thích với chương trình điều hành chung hiện nay của hệ thống;
• Thử nghiệm SOA trên tuyến nhánh điểm - điểm với độ dài 60-80 Km, đo các thông số G,NF,Psat trong qua trình hoạt động trên tuyến. Đánh giá lỗi bit BER ;
Thông số chính của các bộ SOA sẽ chế tạo: 
Thông số SOA Nhỏ nhất Tiêu chuẩn Lớn nhất Điều kiện thử nghiệm
Bước sóng hoạt động (nm):
- Loại 1310 nm
- Loại 1550 nm
1300
1530
1350
1565
Công suất lối vào (dBm) -22 -5
Công suất lối ra (dBm) 3 6 7
Thông số tạp âm NF (dB) 8 @1550nm, Pin=-5 dBm,Pout = 6dBm
Công suất ASE dò ngược (dBm) -20
Mức tín hiệu vào phản xạ ngược (dB) 35
Mức tín hiệu ra phản xạ ngược (dB) 35
Nhiệt độ môi trường làm việc (0C) 5 25 40
Nhiệt độ lưu giữ (0C) -10 65
Nội dung 4: 
Thiết kế chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang đa luồng E1 với nội dung cơ bản sau:
• Thiết kế chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 4x2,048Mb/s 
• Thiết kế chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 16x2,048Mb/s
• Thử nghiệm trên tuyến thực đáp ứng tiêu chuẩn thiết bị thông tin (tiêu chuẩn ngành)
Thông số chính của thiết bị giao diện quang E1
Số TT Tính năng Đơn vị đo Chỉ tiêu
1 Giao diện E1:
- Tốc độ
- Dung sai tốc độ
- Mã hoá đường dây
- Trở kháng
- Loại đầu nối
Kbit/s
Ppm

Ohm

2048
50
HDB3
120
DB25
2 Giao diện quang:
- Kiểu phát xạ
- Bước sóng công tác

- Công suất phát xạ
- Độ nhạy đầu thu
- Loại đầu nối
- Tốc độ truyền
- Mã hoá đường dây
- Dự trữ tiêu hao quang
- Cự ly truyền thông tin 
- Loại cáp quang

nm

dBm
dBm

Kbit/s

dB
km
Laser
1300+/- 50 hoặc
1550+/- 50
-5  0
-31
FC/PC
8448
NRZI, scrambler
31
50
Đơn mốt 9/125m
3 Tính năng chung:
- Nhiệt độ làm việc của thiết bị
- Độ ẩm cho phép
- Nguồn cấp

- Công suất tiêu thụ
- Kích thước (dự kiến) :HxWxL
- Trọng lượng (dự kiến)
0C
%
VDC
VAC; Hz
W
Mm
kg
0-60
Max 98
-36  - 72
115 230; 50/60
<5
45x270x430
3
Nội dung 5: 
Thiết kế và xây dựng mạng nhánh có độ dài đến 60 Km để thử nghiệm các thiết bị chế tạo theo nội dung của đề tài, cụ thể như sau:
• Thiết kế bằng mô phỏng mạng nhánh sử dụng kỹ thuật WDM hai chiều sử dụng 02 bước sóng có các thành phần phát thu, khuếch đại và ghép tách kênh quang;
• Xây dựng 01 tuyến nhánh thực, trong đó có Hệ thống truyền dẫn quang STM1, để triển khai thử nghiệm các thiết bị chế tạo; 
Nội dung 6: 
Đề xuất phương án chuyển giao công nghệ chế tạo các thiết bị truyền dẫn quang (có cả khuếch đại quang) tốc độ cao và thiết bị truy nhập băng rộng cho một số đối tác chế tạo hàng loạt trên cơ sở các quy trình chế tạo đã hoàn thiện và phù hợp với điều kiện thị trường cụ thể. Thảo luận với các đối tác đề chuyển giao công nghệ chế tạo thiết bị và linh kiện có phân chia quyền lợi về bản quyền. 
Nội dung 7: 
Đề xuất các phương án kết hợp nghiên cứu triển khai công nghệ chế tạo thiết bị truyền dẫn và khuếch đại quang với các Phòng Thí nghiệm trọng điểm và Trung tâm Công nghệ cao để hoàn thiện quy trình chế tạo các thiết bị thông tin quang tốc độ cực cao (5-10Gb/s).
Nội dung 8: 
Tổ chức Hội thảo quốc gia và quốc tế về mạng thông tin quang thế hệ mới NGN (ít nhất tổ chức 02 Hội thảo quốc tế và quốc gia). Hội thảo quốc tế dự kiến có khoảng 65 người tham dự, trong đó có 2-3 chuyên gia nước ngoài về lĩnh vực các thiết bị thông tin quang. Hội thảo quốc gia dự kiến có khoảng 50 người tham dự, có các báo cáo mời trình bày kết quả nghiên cứu về linh kiện và thiết bị thông tin quang hiện đại (xem mục dự trù kinh phí Hội thảo).

DỰ KIẾN NỘI DUNG THƯC HIỆN TRONG GIAI ĐOẠN II (2010-2011)

Nội dung 9: 
Nghiên cứu công nghệ chế tạo các bộ phát thu tín hiệu quang tốc độ 5Gb/s – 10 Gb/s (các bộ mẫu) và đưa vào thử nghiệm để đánh giá trên tuyến thực.
Nội dung 10: 
Chế tạo loạt nhỏ các bộ phát thu tín hiệu quang tốc độ từ 155 Mb/s đến 2,5 Gb/s đáp ứng được nhu cầu thử nghiệm trong quá trình hoàn thiện công nghệ chế tạo (ít nhất 4 bộ cho mỗi tốc độ bít thử nghiệm); chuyển giao quy trình chế tạo cho các đơn vị đối tác.
Nội dung 11:
Chế tạo loạt nhỏ các bộ khuếch đại quang sợi EDFA đáp ứng đúng yêu cầu của các thiết bị truyền dẫn tốc độ từ 155Mb/s đến 10 Gb/s để thử nghiệm trên tuyến ( ít nhất 06 bộ EDFA đạt chất lượng 
thử nghiệm); chuyển giao quy trình chế tạo EDFA cho các đơn vị đối tác.
Nội dung 12:
Chế tạo loạt nhỏ các bộ khuếch đại quang bán dẫn SOA trong hai vùng bước sóng 1310 và 1550 nm đáp ứng được nhu cầu thử nghiệm của các thiết bị truy nhập băng rộng và thiết bị truyền dẫn với khoảng cách trung bình ( ít nhất 06 bộ SOA đạt chất lượng thử nghiệm)
Nội dung 13:
Thiết kế và chế tạo 8-12 bộ tổ hợp ghép /tách sóng quang trong vùng 1530-1580 nm sử dụng cách tử Bragg trong sợi quang. 
Nội dung 14:
Xây dựng hoàn chỉnh mạng nhánh có sử dụng các thiết bị đã chế tạo với phần mềm điều hành và phần mềm giao tiếp giữa mạng nhánh diện rộng hoặc mạng nhánh với mạng chủ (ít nhất thử nghiệm trên 2 mạng nhánh với độ dài > 60Km, tốc độ bít STM1-STM16), trong đó có ít nhất một mạng nhánh sử dụng kỹ thuật song công ghép 02 bước sóng.
Nội dung 15: 
Tổ chức Hội thảo quốc gia và quốc tế về mạng thông tin quang thế hệ mới NGN (ít nhất tổ chức 02 Hội thảo quốc tế và quốc gia).|.|- Nghiên cứu và làm chủ công nghệ chế tạo Hệ thống truyền dẫn quang SDH cho tuyến thông tin quang sợi tiến tới có thể sản xuất ở trong nước gồm các mục tiêu cụ thể sau:
• Làm chủ công nghệ chế tạo các mô-đun phát thu tín hiệu quang tại vùng bước sóng 1310 và 1550 nm với tốc độ từ 155 Mb/s (STM1) đến 2,5 Gb/s (STM16).
• Làm chủ công nghệ chế tạo khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA) có điều khiển tự động các thông số khuếch đại và tương thích được với mạng cáp quang.
• Làm chủ công nghệ chế tạo khuếch đại quang bán dẫn (SOA) có điều khiển tự động các thông số khuếch đại.
• Xây dựng Hệ thống truyền dẫn quang STM1 (tốc độ 155 Mb/s) được thiết kế và xây dựng cùng với Card chuyển mạch STM1 ( full 63xE1mua sẵn tại thị trường) và các thiết bị quang tử do đề tài chế tạo..

- Nghiên cứu và làm chủ công nghệ chế tạo các thiết bị truy nhập băng rộng nhằm tiến tới sản xuất các thiết bị truy nhập băng rộng có giá thành hạ để phát triển mạng thông tin băng rộng trong nước gồm các mục tiêu cụ thể sau:
• Làm chủ công nghệ chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 2,048 Mb/s x N, trong đó (N = 4,16, 32...) phục vụ cho các mạng tuyến nhánh. 
• Thử nghiệm các thiết bị truy nhập mạng quang trên hệ thống truyền dẫn quang STM1.

- Làm chủ thiết kế mạng nhánh và ứng dụng thiết bị truyền dẫn quang và thiết bị truy nhập băng rộng chế tạo ở trong nước cho mạng viễn thông thế hệ mới (NGN) ở Việt nam gồm các mục tiêu cụ thể sau:
• Thiết kế và xây dựng mạng nhánh để kiểm định, đo đạc và nhằm ứng dụng các thiết bị đã chế tạo trong mạng thông tin quang khu vực (metropolitan network) và các mạng nhánh, đảm bảo đồng bộ cho STM1 và có mô hình tuyến nhánh.
- Chuyển giao công nghệ chế tạo các thiết bị truyền dẫn quang và truy nhập đa phương tiện cho các cơ sở sản xuất có nhu cầu bao gồm mục tiêu cụ thể sau:
• Chuyển giao công nghệ chế tạo thiết bị cho các cơ sở công nghiệp của ngành truyền thông;
• Chuyển giao công nghệ chế tạo thiết bị cho các cơ sở khoa học-công nghệ mới tham gia vào thị trường theo nghị định 115-CP. 

Dự kiến giai đoạn 2:
Nếu đề tài thực hiện thành công các mục tiêu nêu trên, chúng tôi đề xuất tiến hành thực hiện giai đoạn 2 (năm 2010-2011) của hướng nghiên cứu này như sau:
- Nghiên cứu và làm chủ công nghệ chế tạo các thiết bị truyền dẫn quang SDH tốc độ cao cho tuyến thông tin quang sợi tiến tới có thể sản xuất ở trong nước gồm các mục tiêu cụ thể sau:
• Làm chủ công nghệ chế tạo các mô-đun phát thu tín hiệu quang tốc độ cao tại vùng bước sóng 1550 nm với tốc độ từ 5 Gb/s (STM32) đến 10 Gb/s (STM64);
• Làm chủ công nghệ chế tạo thiết bị truyền dẫn ghép và tách đa bước sóng quang WDM (>4 kênh quang ) bằng cách tử Bragg trong sợi quang (FBG) chế tạo tại Việt nam, trong đó có kỹ thuật truyền song công đa bước sóng trên một sợi quang.
• Chế tạo EDFA với công suất quang ra bão hoà đến 23 dBm kèm phần mềm tương thích với hệ thống điều hành và kiểm soát mạng đường trục của hệ thống thông tin quang hiện hành. Mục tiêu đạt là phải đưa vào chế tạo hàng loạt và chuyển giao công nghệ.
• Chế tạo SOA với công suất ra bão hoà 7-10 dBm, thông số tạp âm <8dB và kèm phần mềm tương thích với hệ thống điều hành và kiểm soát mạng trong thông tin quang nội hạt và khu vực.
- Làm chủ thiết kế mạng nhánh và ứng dụng thiết bị truyền dẫn quang và thiết bị truy nhập băng rộng chế tạo ở trong nước cho mạng viễn thông thế hệ mới (NGN) ở Việt nam gồm các mục tiêu cụ thể sau:
• Chế tạo hàng loạt một số thiết bị truy nhập theo tiêu chuẩn thông tin;
• Ứng dụng một số thiết bị đã chế tạo trong mạng viễn thông đa phương tiện mở rộng có kết nối mạng trục;
• Thay thế các thiết bị hỏng hóc trong mạng viễn thông cáp quang đang hoạt động, làm chủ công nghệ tương thích thiết bị thay thế và điều hành mạng.
Mục tiêu nêu trên là các nội dung tối thiểu để có thể bắt đầu tiến hành xây dựng công nghệ chế tạo thiết bị quang tử cho thông tin quang tại Việt nam vì: các thiết bị là tương đối đồng bộ cho nhánh thông tin quang (thiết bị thu phát tín hiệu quang với tốc độ từ STM1 đến STM64, khuếch đại quang, ghép / tách kênh quang, thiết bị truy nhập mạng quang...). Cần nhấn mạnh rằng, công nghệ chế tạo thiết bị phát thu tín hiệu quang cho tốc độ 155Mb/s đã hoàn thiện từ lâu (khoảng 20 năm trước đây), do đó ý nghĩa phát triển sẽ không còn mang tính thời sự nữa. Chúng ta chế tạo thử nghiệm thiết bị phát thu tín hiệu quang STM1 chỉ là để rút kinh nghiệm cho nghiên cứu chế tạo các thiết bị tốc độ cao hơn (STM16-STM64) là công nghệ cao và cần đầu tư nghiên cứu.

6. Các sản phẩm chính:

Bộ phát thu tín hiệu quang từ 155Mb/s đến 2,5 Gb/s 
Khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA) bơm bằng laser diode bước sóng 980nm và 1480 nm với các chỉ tiêu chất lượng chủ yếu sau đây: 
+ Hệ số khuếch đại G
+ Băng tần khuếch đại



+ Thông số tạp âm NF
+ Công suất ra bão hoà Psat
Khuếch đại quang bán dẫn SOA với các chỉ tiêu chất lượng chủ yếu 
+ Hệ số khuếch đại
+ Thông số tạp âm NF
+ Công suất ra bão hoà Psat
+ Tỷ số tín hiệu trên nhiễu sau khuếch đại quang SNR
Thiết bị truy nhập mạng quang:
+ 4x2,048 Mb/s 
+16x2,048 Mb/s
Mạng nhánh thử nghiệm L >60 Km, trong đó có Hệ thống truyền dẫn quang STM1 là sản phẩm của đề tài.

7. Thời gian thực hiện: 01/12/2007 - 01/11/2009

File đính kèm: